在開(kāi)關(guān)電源EMI設(shè)計(jì)的幾點(diǎn)體會(huì)

開(kāi)關(guān)控制電源的EMI干擾源集中管理體現(xiàn)在功率進(jìn)行開(kāi)關(guān)管、整流二極管、高頻變壓器等，外部市場(chǎng)環(huán)境對(duì)開(kāi)關(guān)電源的干擾問(wèn)題主要包括來(lái)自國(guó)家電網(wǎng)的抖動(dòng)、雷擊、外界輻射等。24V開(kāi)關(guān)電源是高頻逆變開(kāi)關(guān)電源中的一個(gè)種類(lèi)。什么是24V開(kāi)關(guān)電源 24V開(kāi)關(guān)電源就是用通過(guò)電路控制開(kāi)關(guān)管進(jìn)行高速的導(dǎo)通與截止.將交流電提供給變壓器進(jìn)行變壓轉(zhuǎn)化為高頻率的交流電。開(kāi)關(guān)電源廠家利用現(xiàn)代電力電子技術(shù)，控制開(kāi)關(guān)管開(kāi)通和關(guān)斷的時(shí)間比率，維持穩(wěn)定輸出電壓的一種電源，開(kāi)關(guān)電源一般由脈沖寬度調(diào)制控制IC和MOSFET構(gòu)成。12V開(kāi)關(guān)電源主要檢查300V上的大濾波 電容 、整流橋各 二極管 及開(kāi)關(guān)管等部位，抗干擾電路出問(wèn)題也會(huì)導(dǎo)致保險(xiǎn)燒、發(fā)黑。需要注意的是：因開(kāi)關(guān)管擊穿導(dǎo)致保險(xiǎn)燒一般會(huì)把電流檢測(cè) 電阻 和電源控制芯片燒壞。負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻也很容易和保險(xiǎn)一起被燒壞。

電磁干擾源1.開(kāi)關(guān)電源

開(kāi)關(guān)電源的電磁干擾主要體現(xiàn)在開(kāi)關(guān)管、整流二極管、高頻變壓器等方面。 外部環(huán)境對(duì)開(kāi)關(guān)電源的干擾主要來(lái)自電網(wǎng)抖動(dòng)、雷擊、外部輻射等。

　　(1)功率開(kāi)關(guān)管

工作電源開(kāi)關(guān)的通斷狀態(tài)轉(zhuǎn)變快速循環(huán)，在突然變化的dv / dt和di / dt，因此，兩者的干擾場(chǎng)耦合的主要來(lái)源的電源開(kāi)關(guān)，磁耦合是干擾的主要來(lái)源。

　　(2)高頻變壓器

　　高頻變壓器的EMI來(lái)源主要集中管理體現(xiàn)在漏感對(duì)應(yīng)的di/dt快速發(fā)展循環(huán)進(jìn)行變換，因此對(duì)于高頻變壓器是磁場(chǎng)耦合的重要因素干擾源。

　　(3)整流二極管

整流二極管的電磁干擾源主要體現(xiàn)在反向恢復(fù)特性上。 反向恢復(fù)電流的不連續(xù)點(diǎn)會(huì)在電感、導(dǎo)線(xiàn)、電感、雜散電感等部位產(chǎn)生較大的 dv / dt，從而導(dǎo)致電磁干擾。

　　(4)PCB

　　準(zhǔn)確的說(shuō)，PCB是上述因素干擾源的耦合發(fā)展通道，PCB的優(yōu)劣，直接對(duì)應(yīng)著企業(yè)對(duì)上 述EMI源抑制的好壞。

2. 開(kāi)關(guān)電源EMI傳輸通道分類(lèi)

1. 傳導(dǎo)干擾的傳輸通道

　　(1)容性耦合

　　(2)感性耦合

　　(3)電阻耦合

一個(gè)。通過(guò)耦合的內(nèi)部電阻所產(chǎn)生的公共電源的導(dǎo)通電阻

　　b.公共地線(xiàn)阻抗可以產(chǎn)生的 電阻信號(hào)傳導(dǎo)系統(tǒng)耦合

C。耦合所產(chǎn)生的公共線(xiàn)阻抗的導(dǎo)通電阻

　　(二). 輻射環(huán)境干擾的傳輸數(shù)據(jù)通道

（1）在開(kāi)關(guān)電源中，可以構(gòu)成輻射干擾源的元件和導(dǎo)體可以假定為天線(xiàn)，可以用電偶極子和磁偶極子理論進(jìn)行分析；二極管、電容器、電源開(kāi)關(guān)管可以假定為電偶極子，電感線(xiàn)圈可以假定為磁偶極子；

2當(dāng)沒(méi)有屏蔽時(shí)，產(chǎn)生的電偶極子、電偶極子、電磁波傳輸通道是空氣可以假定為自由空間;

（3）當(dāng)屏蔽，狹縫和孔考慮屏蔽，根據(jù)用于泄漏場(chǎng)的評(píng)價(jià)的數(shù)學(xué)模型。

3.開(kāi)關(guān)控制電源EMI抑制的9大措施

在開(kāi)關(guān)電源中，電壓和電流的突變，即，高的dv / dt和di / dt，這是EMI的主要原因產(chǎn)生。 EMC設(shè)計(jì)措施，以實(shí)現(xiàn)切換基于以下兩點(diǎn)電源：

　　(1)盡量可以減小電源技術(shù)本身所產(chǎn)生的干擾源，利用有效抑制干擾的方法或產(chǎn)生影響干擾較小的元器件和電路，并進(jìn)行科學(xué)合理規(guī)劃布局;

抑制電源EMI，改善EMS。 通過(guò)接地、濾波、屏蔽等方式供電